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HU60N03实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HU60N03

1个N沟道 耐压:30V 电流:60A

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描述
N沟道,30V,60A,14mΩ@10V
品牌名称
HL(豪林)
商品型号
HU60N03
商品编号
C216266
商品封装
TO-251(IPAK)​
包装方式
管装
商品毛重
0.667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)60A
属性参数值
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)14mΩ@10V,30A
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.5V@250uA

商品特性

  • 创新设计
  • 卓越的雪崩耐受技术
  • 坚固的栅极氧化层技术
  • 极低的本征电容
  • 出色的开关特性
  • 无与伦比的栅极电荷:18.5 nC(典型值)
  • 扩展的安全工作区
  • 更低的导通电阻RDS(ON):0.014 Ω(典型值)@VGS = 10V
  • 100%雪崩测试

数据手册PDF