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X28HC64SZ-12

8kx8bit 5V可编程EEPROM

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描述: X28HC64是一款8kx8位的EEPROM，采用InterSil公司的高性能浮动栅CMOS技术制造。该器件支持单5V供电，具有简单的字节和页面写入功能，无需外部高电压或Vpp控制电路。它还具有自定时功能，无需复杂的编程算法。X28HC64支持64字节的页面写入操作，提供32微秒/字节的写周期时间，并具备数据轮询和切换位轮询功能，用于早期写操作结束检测。此外，该器件还包括用户可选的软件数据保护模式，进一步增强了硬件写保护能力。
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: X28HC64SZ-12
商品编号: C20354045
商品封装: SOIC-28
包装方式: 管装
商品毛重: 1.42克(g)

商品参数

商品概述

X28HC64是一款8k x 8的EEPROM，采用Intersil专有的高性能浮栅CMOS技术制造。和所有Intersil可编程非易失性存储器一样，X28HC64是仅需5V供电的器件。它具有JEDEC批准的字节宽度存储器引脚排列，与行业标准RAM兼容。X28HC64支持64字节页写操作，有效提供32μs/字节的写周期，通常能在0.25秒内完成整个存储器的写入。它还具有数据轮询和Toggle位轮询两种方法，可实现写操作结束的早期检测。此外，X28HC64包含用户特定的软件数据保护模式，进一步增强了Intersil的硬件写保护能力。Intersil的EEPROM专为需要延长耐久性的应用而设计和测试，固有数据保留时间超过100年。

商品特性

70ns访问时间
简单的字节和页写操作
单5V电源
无需外部高压或Vₚ₋ₚ控制电路，自定时
写前无需擦除
无复杂编程算法
无过擦除问题
低功耗CMOS
最大40mA工作电流
最大200μA待机电流
快速写周期时间
64字节页写操作
字节或页写周期：典型值2ms
完整存储器重写：典型值0.25s
有效字节写周期时间：典型值32μs
软件数据保护
写操作结束检测
数据轮询
Toggle位
高可靠性
耐久性：100,000次循环
数据保留：100年
JEDEC批准的字节宽度引脚排列
提供无铅产品（符合RoHS标准）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	64Kbit
	写周期时间(Tw)	2ms
	数据保留 - TDR(年)	100年

	属性	参数值
	写周期寿命	10万次
	功能特性	软件写保护功能；硬件写保护功能
	工作电压	4.5V~5.5V
	工作温度	0℃~+70℃