R5F10268ASM#15
R5F10268ASM#15
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- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- R5F10268ASM#15
- 商品编号
- C20351088
- 商品封装
- LSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 单片机(MCU/MPU/SOC) | |
| CPU内核 | RL78 | |
| CPU最大主频 | 24MHz | |
| CPU位数 | 16 Bit | |
| 程序存储容量 | 8KB | |
| 程序存储器类型 | FLASH | |
| RAM容量 | 768Byte |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| EEPROM容量 | 2KB | |
| I/O数量 | 14 | |
| 振荡器类型 | 内置+外置 | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | - |
商品概述
该平台为通用应用提供真正的低功耗解决方案，工作电压范围为1.8V至5.5V，具备2KB至16KB的代码闪存，在24MHz频率下性能可达31 DMIPS。
商品特性
- 采用超低功耗技术，支持1.8V至5.5V单电源电压工作，具备HALT模式、STOP模式和SNOOZE模式。
- RL78 CPU内核采用CISC架构和3级流水线，最小指令执行时间可从高速（0.04167 μs，在24MHz高速片内振荡器下）调整至超低速（1 μs，在1MHz下），地址空间为1 MB，通用寄存器为（8位寄存器 x 8）x 4组，片内RAM为256 B至2 KB。
- 代码闪存容量为2 KB至16 KB，块大小为1 KB，支持禁止块擦除与重写（安全功能）、片内调试功能以及自编程（带闪存保护窗口功能）。
- 数据闪存容量为2 KB，支持后台操作，在重写数据闪存时可从程序存储器执行指令，典型重写次数为1,000,000次，重写电压为VDD = 1.8V至5.5V。
- 高速片内振荡器可选频率包括24 MHz、16 MHz、12 MHz、8 MHz、6 MHz、4 MHz、3 MHz、2 MHz和1 MHz，高精度为 +/- 1.0%（VDD = 1.8V至5.5V，TA = -20°C 至 +85°C）。
- 工作环境温度：TA = -40°C 至 +85°C（A：消费类应用，D：工业应用）；TA = -40°C 至 +105°C（G：工业应用）。
- 电源管理与复位功能包括片内上电复位电路和片内电压检测器（可从12个级别中选择中断或复位）。
- DMA控制器具备2个通道，在8/16位特殊功能寄存器与内部RAM之间传输的时钟周期为2个。
- 乘法器与除法器/乘加器支持16位 x 16位 = 32位（无符号或有符号）、32位 x 32位 = 32位（无符号）以及16位 x 16位 + 32位 = 32位（无符号或有符号）运算。
- 串行接口包括1至3通道简化SPI、1至3通道UART、0至3通道简化I2C通信以及1通道I2C通信。
- 定时器包括4至8通道16位定时器、1通道12位间隔定时器以及1通道看门狗定时器（可使用专用低速片内振荡器操作）。
- A/D转换器具有8/10位分辨率，工作电压VDD = 1.8V至5.5V，提供8至11个通道、内部参考电压（1.45 V）和温度传感器。
- I/O端口数量为18至26个（其中耐压6V的N沟道开漏I/O为2个，耐压VDD的N沟道开漏I/O为4至9个），可设置为N沟道开漏、TTL输入缓冲器和片内上拉电阻，支持不同电位接口，可连接1.8V/2.5V/3V器件，并具备片内按键中断功能以及片内时钟输出/蜂鸣器输出控制器。
- 其他功能包括片内BCD码校正电路。