M3004316035NX0PTBR

M3xxx316是一款磁阻随机存取存储器（MRAM），存储密度范围为4Mbit至32Mbit。MRAM技术类似于闪存技术，具有与SRAM兼容的35ns/35ns和45ns/45ns读写时序（持久性SRAM，P - SRAM），数据始终是非易失性的，这使得MRAM成为一种非常可靠且快速的非易失性存储解决方案。

MRAM是真正的随机存取存储器，允许在存储器中随机进行读写操作。它非常适合那些需要存储和检索数据且不会产生较大延迟损失的应用，具有低延迟、低功耗、几乎无限的耐久性和数据保留能力、高性能以及可扩展的存储技术等特点。

M3xxx316提供工业级（-40°C至85°C）和工业增强级（-40°C至105°C）的工作温度范围。

• 接口：并行异步x16
• 技术：40nm pMTJ STT - MRAM
• 数据保留（参见表16.耐久性和数据保留密度）：4Mb、8Mb、16Mb、32Mb
• 工作电压范围：VCC：2.70V - 3.60V
• 工作温度范围：工业级：-40°C至85°C；工业增强级：-40°C至105°C
• 符合RoHS和REACH标准
• 封装：44引脚TSOP（10mm×18mm）；54引脚TSOP（10mm×22mm）；48球FBGA（10mm×10mm）
• 存储阵列组织：4Mbit：262,144×16；8Mbit：524,288×16；16Mbit：1,048,576×16；32Mbit：2,097,152×16

• 适合那些需要存储和检索数据且不会产生较大延迟损失的应用
• 工厂自动化
• 多功能打印机
• 工业控制与监测
• 医疗诊断
• 数据交换机和路由器
• 智能电表