HIP2211FBZ

HIP2210和HIP2211是100V、3A源极、4A灌极的高频半桥NMOS FET驱动器。HIP2211具有标准的HI/LI输入，并且与瑞萨（Renesas）流行的桥驱动器（如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。HIP2210具有带可编程死区时间的三电平PWM输入。其6V至18V的宽工作电源范围和集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 这些驱动器具有强大的3A源极、4A灌极驱动能力，典型传播延迟非常快，为15ns，典型延迟匹配为2ns，非常适合高频开关应用。VDD和自举欠压锁定（UVLO）功能可防止欠压操作。 HIP2210 PWM引脚的三电平输入通过单个引脚控制高端和低端驱动器。当PWM输入为逻辑高电平时，高端桥接FET导通，低端FET关断。当输入为逻辑低电平时，低端桥接FET导通，高端FET关断。当输入电压处于中间电平状态时，高端和低端桥接FET均关断。PWM阈值电平与VREF引脚上的外部输入参考电压成比例，允许在2.7V至5.5V逻辑范围内进行PWM操作。

• HIP2211可直接替代采用8引脚SOIC、8引脚DFN和10引脚TDFN封装的ISL2111和HIP2101
• 115VDC自举电源最大电压支持半桥上的100V电压
• 用于NMOS FET的3A源极和4A灌极栅极驱动器
• 快速传播延迟和匹配：典型延迟15ns；典型匹配2ns（HIP2211）
• 集成典型值为0.5Ω的自举二极管
• 6V至18V的宽工作电压范围
• VDD和自举欠压锁定（UVLO）
• 强大的抗噪声能力：输入具有宽滞后特性；HS引脚可承受高达 - 10V的连续电压
• HIP2211：HI/LI输入与VDD电压容限兼容的3.3V逻辑
• HIP2210：三电平PWM输入，逻辑阈值电平由外部VREF引脚设置，范围为2.7V至5.5V
• HIP2210：可编程死区时间可防止直通；通过单个电阻可在35ns至350ns范围内调节

• 电信半桥和全桥DC/DC转换器
• 三相无刷直流（BLDC）电机驱动器；H桥电机驱动器
• 双开关正激和有源钳位转换器
• 多相PWM DC/DC控制器
• D类放大器