商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 10.7A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 580W | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- NPN硅微波功率晶体管
- 共基极配置
- 宽带C类工作模式
- 高效叉指式结构
- 扩散发射极镇流电阻
- 镀金金属化系统
- 内部输入和输出阻抗匹配
- 密封金属/陶瓷封装
- 符合RoHS标准
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| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 10.7A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 65V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 580W | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 1个NPN |