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RCLAMP3374N.TRT

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品牌名称: SEMTECH
商品型号: RCLAMP3374N.TRT
商品编号: C20336401
商品封装: DFN-10(3x2)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

RailClamp®瞬态电压抑制（TVS）二极管专为保护连接到高速数据和传输线路的敏感组件而设计，可防止由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压。其独特设计在单个封装中集成了具有浪涌额定值的低电容转向二极管和一个TVS二极管。RClamp®3374N设计用于替代高达两个用于板级千兆以太网保护的组件，每个器件可保护两对线路，这通过将走线穿过器件来实现。以这种方式连接时，该器件能够承受高水平的浪涌电流（40A，脉冲宽度tp = 8/20微秒），同时保持低于5皮法的低负载电容。高浪涌能力意味着它可用于高风险环境，如千兆以太网、电信线路和低压差分信号（LVDS）接口等应用中。RClamp3374N采用Semtech专有的EPD工艺技术制造。与硅雪崩二极管工艺相比，EPD工艺提供了低关断电压，同时显著降低了漏电流和电容，其具有3.3伏的真实工作电压，可提供卓越的保护。RClamp3374N采用3.0×2.0×0.6毫米的10引脚DFN封装，引脚采用无铅NiPdAu镀层。

商品特性

高速数据线瞬态保护，符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）±30kV（空气放电）、±30kV（接触放电），IEC 61000 - 4 - 4（EFT）40A（5/50纳秒），IEC 61000 - 4 - 5（雷击）40A（8/20微秒）标准
带有内部TVS二极管的浪涌额定二极管阵列
可保护多达八条线路
高速接口的低电容
电容随偏置电压的变化小
低钳位电压
低工作电压：3.3V
固态硅雪崩技术

应用领域

10/100/1000以太网
中心局设备
LVDS接口
磁性插孔/集成磁路
笔记本电脑/台式机/服务器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静电和浪涌保护(TVS/ESD)
	反向截止电压(Vrwm)	3.3V
	钳位电压	25V
	峰值脉冲电流(Ipp)	40A@8/20us
	峰值脉冲功率(Ppp)	1kW@8/20us

	属性	参数值
	击穿电压(VBR)	3.5V
	反向电流(Ir)	500nA
	工作温度	-40℃~+125℃
	防护等级	IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2
	Cj-结电容	3.6pF