MV1N8179US/TR
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MV1N8179US/TR
- 商品编号
- C20296442
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 极性 | 单向 | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 120V | |
| 钳位电压 | 208V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 720mA | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 150W@10/1000us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 击穿电压 | 138V | |
| 反向电流(Ir) | 500nA | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-4；IEC 61000-4-5；IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 4pF |
商品概述
该系列无空隙密封单向低电容瞬态电压抑制器（TVS）设计，非常适合用于高可靠性应用中的高频应用保护，这些应用不允许出现故障。它们包含一个独特的整流二极管，与TVS串联且方向相反，以实现4 pF的极低电容。该产品系列提供6.8至170 V的工作峰值“关断”电压选择，额定功率为150 W。它们采用硬质玻璃结构，非常坚固，并且在高可靠性应用中使用了标记为1类的内部冶金键合。这些器件也有轴向引脚封装，适用于通孔安装。
商品特性
-为敏感电路提供高浪涌电流和峰值脉冲功率单向保护。 -适用于高频或高波特率应用的极低电容。 -两个器件反并联可实现双向功能。 -三层钝化。 -内部“1类”冶金键合。 -无空隙密封玻璃封装。 -提供符合RoHS标准的版本。
应用领域
- 高可靠性瞬态保护。
- 极其坚固的结构。
- 工作峰值“关断”电压（VWM）为6.8至170 V。
- 在10/1000 μs时可提供150 W峰值脉冲功率（PPP）。
- 150 W额定TVS的最低可用电容。
- 分别符合IEC61000 - 4 - 2和IEC61000 - 4 - 4的ESD和EFT保护。
- 根据IEC61000 - 4 - 5的选定等级提供二次雷击保护。
- 灵活的轴向引脚安装端子。
- 根据MIL - STD - 750方法1020对ESD不敏感。
- 如美高森美MicroNote 050所述，具有固有抗辐射能力。