MQ1N8181US/TR

该系列无空隙密封单向低电容瞬态电压抑制器（TVS）设计，非常适合用于高可靠性应用中的高频应用保护，这些应用不允许出现故障。它们包含一个独特的整流二极管，与TVS串联且方向相反，以实现4 pF的极低电容。该产品系列提供6.8至170 V的工作峰值“关断”电压选择，额定功率为150 W。它们采用硬质玻璃结构，非常坚固，并且在高可靠性应用中使用了标记为1类的内部冶金键合。这些器件也有轴向引脚封装，适用于通孔安装。

-为敏感电路提供高浪涌电流和峰值脉冲功率单向保护。 -适用于高频或高波特率应用的极低电容。 -两个器件反并联可实现双向功能。 -三层钝化。 -内部“1类”冶金键合。 -无空隙密封玻璃封装。 -提供符合RoHS标准的版本。

• 高可靠性瞬态保护。
• 极其坚固的结构。
• 工作峰值“关断”电压（VWM）为6.8至170 V。
• 在10/1000 μs时可提供150 W峰值脉冲功率（PPP）。
• 150 W额定TVS的最低可用电容。
• 分别符合IEC61000 - 4 - 2和IEC61000 - 4 - 4的ESD和EFT保护。
• 根据IEC61000 - 4 - 5的选定等级提供二次雷击保护。
• 灵活的轴向引脚安装端子。
• 根据MIL - STD - 750方法1020对ESD不敏感。
• 如美高森美MicroNote 050所述，具有固有抗辐射能力。