LAN8841T/Q2A

本文档为Microchip LAN8841提供了硬件设计清单。在新设计中使用LAN8841时，应遵循这些清单项目。这些项目的总结见第17页的10.0节“硬件清单总结”。关于这些主题的详细信息可在相应章节中找到：

• 2.0节“一般注意事项”
• 3.0节“电源”
• 4.0节“以太网信号”
• 5.0节“时钟电路”
• 6.0节“数字接口”
• 7.0节“1588支持”
• 8.0节“启动”
• 9.0节“其他”

一般注意事项：

• 引脚检查：对照数据手册检查器件的引脚排列。确保所有引脚与数据手册匹配，并配置为输入、输出或双向以进行错误检查。
• 接地：接地引脚GND应连接到电路板上的实心接地平面。建议所有接地连接都连接到同一接地平面，不建议使用单独的接地平面。

电源：

• 模拟电源（VDDAH）位于引脚1、2和15，需要连接到VDDIO（通过铁氧体磁珠从+3.3V创建）。铁氧体磁珠的每一侧都应放置大容量电容。通常使用100 - 220Ω（在100 MHz时）的铁氧体磁珠。每个VDDAH引脚应包括0.1 µF和10 µF的电容以对器件进行去耦。电容尺寸应为SMD_0603或更小。
• VDDAL（引脚5、6、11和12）是模拟核心电压电源。它应连接到+1.1V电源（通过铁氧体磁珠从+1.1V创建）。铁氧体磁珠的每一侧都应放置大容量电容。通常使用100 - 220Ω（在100 MHz时）的铁氧体磁珠。每个VDD引脚应包括0.1 µF和22 µF的电容以对器件进行去耦。电容尺寸应为SMD_0603或更小。
• VDDIO（引脚20、31、40、47和56）是I/O焊盘的可变电源电压。它应连接到+3.3V、2.5V或1.8V电源。在电源源附近需要一个大容量电容，以防止器件启动时电源出现压降。去耦电容必须尽可能靠近器件放置，以减少通过EMI干扰注入的高频噪声。
• VDD（引脚28、35、43和56）是数字核心电压电源。它应连接到+1.1V电源。在电源源附近需要一个大容量电容，以防止器件启动时电源出现压降。去耦电容必须尽可能靠近器件放置，以减少通过EMI干扰注入的高频噪声。
• VDDAL_PLL（引脚63）为LAN8841 PLL供电。使用4.7 - 10 µF的电容、0.1 µF的电容和0.01 µF的电容接地进行去耦，并通过铁氧体磁珠将它们连接到+1.1V电源走线或平面。
• 不使用LDO的电源和接地连接如图3 - 1所示，使用LDO（使用外部MOSFET）的电源和接地连接如图3 - 2所示。

以太网信号：

• 10/100/1000 Mbps接口连接 - 单独中心抽头：
  • 对于单独中心抽头磁性元件或单独中心抽头磁性连接器，MAGJACK（引脚17）必须拉低。
  • TXRXP_A（引脚3）：该引脚是内部PHY A对的发送（TX）/接收（RX）正连接。该引脚连接到10/100/1000磁性元件。不需要外部终端和偏置。
  • TXRXM_A（引脚4）：该引脚是内部PHY A对的TX/RX负连接。该引脚连接到10/100/1000磁性元件。不需要外部终端和偏置。
  • TXRXP_B（引脚7）：该引脚是内部PHY B对的TX/RX正连接。该引脚连接到10/100/1000磁性元件。不需要外部终端和偏置。
  • TXRXM_B（引脚8）：该引脚是内部PHY B对的TX/RX负连接。该引脚连接到10/100/1000磁性元件。不需要外部终端和偏置。
  • TXRXP_C（引脚9）：该引脚是内部PHY C对的TX/RX正连接。该引脚连接到10/100/1000磁性元件。不需要外部终端和偏置。
  • TXRXM_C（引脚10）：该引脚是内部PHY C对的TX/RX负连接。该引脚连接到10/100/1000磁性元件。不需要外部终端和偏置。
  • TXRXP_D（引脚13）：该引脚是内部PHY D对的TX/RX正连接。该引脚连接到10/100/1000磁性元件。不需要外部终端和偏置。
  • TXRXM_D（引脚14）：该引脚是内部PHY D对的TX/RX负连接。该引脚连接到10/100/1000磁性元件。不需要外部终端和偏置。
• 10/100/1000磁性元件连接 - 单独中心抽头：
  • LAN8841侧A对通道的中心抽头连接仅将一个0.1 µF的电容连接到GND，不需要偏置。
  • LAN8841侧B对通道的中心抽头连接仅将一个0.1 µF的电容连接到GND，不需要偏置。
  • LAN8841侧C对通道的中心抽头连接仅将一个0.1 µF的电容连接到GND，不需要偏置。
  • LAN8841侧D对通道的中心抽头连接仅将一个0.1 µF的电容连接到GND，不需要偏置。