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X5329S8Z-2.7T1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

X5329S8Z-2.7T1

X5329S8Z-2.7T1

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商品型号
X5329S8Z-2.7T1
商品编号
C2070230
商品封装
SOIC-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录监控和复位芯片
输出类型开漏
复位有效电平高电平有效
阈值电压2.63V
属性参数值
受监控电压数1
复位超时100ms
工作温度0℃~+70℃@(TA)

商品概述

这些器件将三种常用功能——上电复位控制、电源电压监控和块锁保护串行EEPROM存储器集成在一个封装中。这种组合降低了系统成本,减少了电路板空间需求,并提高了可靠性。

给器件通电会激活上电复位电路,该电路会在一段时间内使RESET/RESET保持有效。这使得电源和振荡器在处理器执行代码之前能够稳定下来。

器件的低V_CC检测电路可保护用户系统免受低电压状况的影响,当V_CC降至最低V_CC触发点以下时,该电路会使RESET/RESET保持有效。RESET/RESET会一直保持有效,直到V_CC恢复到正常工作水平并稳定下来。有五种行业标准的V_TRIP阈值可供选择,不过,英特矽尔(Intersil)的独特电路允许对阈值进行重新编程,以满足定制需求或在需要更高精度的应用中对阈值进行微调。

商品特性

  • 低V_CC检测和复位断言
    • 五种标准复位阈值电压
    • 使用特殊编程序列重新编程低V_CC复位阈值电压
    • 复位信号在V_CC = 1V时仍有效
  • 低功耗,电池续航长
    • 最大待机电流 < 1μA
    • 读取期间最大工作电流 < 400μA
  • 32Kbits的EEPROM
  • 内置意外写入保护
    • 上电/掉电保护电路
    • 通过块锁保护对0、1/4、1/2或整个EEPROM阵列进行保护
    • 电路内可编程ROM模式
  • 2MHz SPI接口模式(0,0和1,1)
  • 缩短EEPROM编程时间
    • 32字节页写模式
    • 自定时写周期
    • 写周期时间(典型值)为5ms
  • 2.7V至5.5V和4.5V至5.5V电源供电
  • 可用封装
    • 14引脚TSSOP、8引脚SOIC、8引脚PDIP
  • 提供无铅加退火工艺产品(符合RoHS标准)

数据手册PDF

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(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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