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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

APM4953KC-TRG

1个P沟道 耐压:30V 电流:4.9A

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描述
P沟道,-30V,-4.9A,53mΩ@-10V
商品型号
APM4953KC-TRG
商品编号
C20897
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.286克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.9A
导通电阻(RDS(on))60mΩ@10V
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)29nC@10V
输入电容(Ciss)1.26nF
反向传输电容(Crss)220pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)340pF

商品特性

  • 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) = 80mΩ(典型值)
  • -30V/-4.9A,在VGS = -10V时,RDS(ON) = 53mΩ(典型值)
  • 超高密度单元设计
  • 可靠耐用
  • SO-8封装

应用领域

  • 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理

数据手册PDF