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SPD07N60C3BTMA1

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品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: SPD07N60C3BTMA1
商品编号: C20236242
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS P7是一个经过优化的平台，专为消费市场中对成本敏感的应用而定制，如充电器、适配器、照明、电视等。新系列具备快速开关超结MOSFET的所有优势，同时拥有出色的性价比和先进的易用性水平。该技术符合最高效率标准，支持高功率密度，使客户能够实现非常纤薄的设计。

商品特性

全新革命性高压技术
TO-251和TO-252封装中全球最佳的导通电阻(RDS(on))
超低栅极电荷
额定周期性雪崩能力
额定极高dv/dt
高峰值电流能力
改进的跨导
无铅引脚镀层;符合RoHS标准,采用无卤模塑料
完全符合JEDEC工业应用标准

应用领域

例如用于充电器、适配器、照明应用的反激式拓扑结构

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	7.3A
	导通电阻(RDS(on))	600mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	83W
	阈值电压(Vgs(th))	3.9V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	21nC@10V
	输入电容(Ciss)	790pF
	反向传输电容(Crss)	16pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	260pF