- 引脚图
- 焊盘图
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PBLS6003D-QX
PBLS6003D-QX
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PBLS6003D-QX
- 商品编号
- C20235706
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 耗散功率(Pd) | 600mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 2.5V@10mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 800mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 1.2 | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 340mV@1000mA,100mA | |
| 特征频率(fT) | 185MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA |
商品概述
采用 SOT457 (SC-74) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装的 PNP 低集电极-发射极饱和电压 (VCEsat) 小信号击穿 (BISS) 晶体管以及配备电阻的 NPN 晶体管。
商品特性
- 同一封装内集成低 VCEsat (BISS) 晶体管和配备电阻的晶体管
- 与 MOSFET 相比，阈值电压较低（< 1 V）
- 所需驱动功率低
- 节省空间的解决方案
- 减少元件数量
应用领域
- 电源线开关
- 电池充电器开关
- LED、驱动器和背光灯的高端开关
- 便携式设备