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GAN190-650EBEZ
采用8mm x 8mm DFN封装的650V、190mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管
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- 描述
- GAN140 - 650EBE是一款通用型650 V、190 mΩ的氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），采用8 mm x 8 mm的DFN表面贴装封装。它是一款常关型增强模式器件，性能卓越。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- GAN190-650EBEZ
- 商品编号
- C20235670
- 商品封装
- DFN8080-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 96pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 138mΩ |
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