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MC33GD3100BEKR2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MC33GD3100BEKR2

MC33GD3100BEKR2

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
MC33GD3100BEKR2
商品编号
C20234208
商品封装
SOIC-32​
包装方式
编带
商品毛重
0.99克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型IGBT
属性参数值
工作温度-40℃~+125℃

商品概述

MC33GD3100是一款用于IGBT和碳化硅(SiC)功率器件的先进单通道栅极驱动器。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。 电流和温度感应功能可在故障期间将IGBT的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定(UVLO)功能在确保足够的栅极驱动电压裕量的同时提供保护。 MC33GD3100可自主管理严重故障,并通过INTB引脚和SPI接口报告故障和状态。它能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。该器件包含自测试、控制和保护功能,适用于高可靠性系统(ASIL C/D)设计。它满足汽车应用的严格要求,并已全面通过AEC - Q100 1级认证。

商品特性

  • 具备SPI接口,用于安全监控、可编程性和灵活性
  • 低传播延迟和最小的PWM失真
  • 集成电流信号隔离(最高达8 kV)
  • 集成栅极驱动功率级,源极和漏极峰值电流可达15 A
  • 完全可编程的有源米勒钳位
  • 兼容负栅极电源
  • 兼容电流感应和温度感应IGBT
  • 集成软关断、两级关断、有源钳位和分段驱动以进行波形整形
  • 共模瞬态抗扰度(CMTI)> 100 V/ns
  • 兼容200 V至1700 V的IGBT/SiC,功率范围> 125 kW
  • 工作温度范围为 -40 ℃至125 ℃
  • 外部爬电距离(CPG):> 7.8 mm
  • 工作频率> 40 kHz
  • 提供5.0 V和3.3 V耐压的MCU接口
  • 通过ASIL D ISO26262功能安全要求认证,具备全面诊断功能
  • 具备电流、去饱和(DESAT)和温度感应输入以及ADC报告功能,用于IGBT/SiC监控
  • 快速短路保护、过流保护、温度警告和关断功能
  • 中断引脚可对故障进行快速响应
  • 内置所有模拟和数字电路的自检功能
  • 对芯片间通信进行连续看门狗监控
  • 强制实施死区时间
  • 对低压侧和高压侧所有电源进行过压和欠压监控
  • 低压侧和高压侧均设有故障安全状态管理引脚
  • 对VGE进行逐周期实时监控
  • 符合DIN V VDE V 0884 - 10的加强隔离要求
  • 符合UL 1577标准,可承受2500 V rms(1分钟)的隔离电压
  • 符合CSA组件验收通知5A
  • 通过AEC - Q100 1级汽车认证

数据手册PDF

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