MC33GD3100BEKR2
MC33GD3100BEKR2
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- MC33GD3100BEKR2
- 商品编号
- C20234208
- 商品封装
- SOIC-32
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.99克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 负载类型 | IGBT |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品概述
MC33GD3100是一款用于IGBT和碳化硅(SiC)功率器件的先进单通道栅极驱动器。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。 电流和温度感应功能可在故障期间将IGBT的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定(UVLO)功能在确保足够的栅极驱动电压裕量的同时提供保护。 MC33GD3100可自主管理严重故障,并通过INTB引脚和SPI接口报告故障和状态。它能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。该器件包含自测试、控制和保护功能,适用于高可靠性系统(ASIL C/D)设计。它满足汽车应用的严格要求,并已全面通过AEC - Q100 1级认证。
商品特性
- 具备SPI接口,用于安全监控、可编程性和灵活性
- 低传播延迟和最小的PWM失真
- 集成电流信号隔离(最高达8 kV)
- 集成栅极驱动功率级,源极和漏极峰值电流可达15 A
- 完全可编程的有源米勒钳位
- 兼容负栅极电源
- 兼容电流感应和温度感应IGBT
- 集成软关断、两级关断、有源钳位和分段驱动以进行波形整形
- 共模瞬态抗扰度(CMTI)> 100 V/ns
- 兼容200 V至1700 V的IGBT/SiC,功率范围> 125 kW
- 工作温度范围为 -40 ℃至125 ℃
- 外部爬电距离(CPG):> 7.8 mm
- 工作频率> 40 kHz
- 提供5.0 V和3.3 V耐压的MCU接口
- 通过ASIL D ISO26262功能安全要求认证,具备全面诊断功能
- 具备电流、去饱和(DESAT)和温度感应输入以及ADC报告功能,用于IGBT/SiC监控
- 快速短路保护、过流保护、温度警告和关断功能
- 中断引脚可对故障进行快速响应
- 内置所有模拟和数字电路的自检功能
- 对芯片间通信进行连续看门狗监控
- 强制实施死区时间
- 对低压侧和高压侧所有电源进行过压和欠压监控
- 低压侧和高压侧均设有故障安全状态管理引脚
- 对VGE进行逐周期实时监控
- 符合DIN V VDE V 0884 - 10的加强隔离要求
- 符合UL 1577标准,可承受2500 V rms(1分钟)的隔离电压
- 符合CSA组件验收通知5A
- 通过AEC - Q100 1级汽车认证
优惠活动
购买数量
(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个1000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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