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IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR

IS64WV25616BLL 10CTLA3 TR

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描述
高速、4,194,304位静态RAM,组织为262,144字×16位。采用高性能CMOS技术制造,该高可靠性工艺与创新电路设计技术相结合,产生高性能、低功耗的器件。当CE为高电平(未选中)时,器件进入待机模式,此时功耗可通过CMOS输入电平降低。通过片选使能和输出使能输入CE和OE,可轻松进行内存扩展。低电平有效的写使能(WE)控制存储器的读写。数据字节允许上字节(UB)和下字节(LB)访问。采用JEDEC标准44引脚TSOP II型和48引脚Mini BGA(6mm x 8mm)封装。
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR
商品编号
C2064489
商品封装
TSOPII-44-10.2mm​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
存储容量4Mbit
工作电压2.4V~3.6V
读写时间10ns
属性参数值
工作温度-40℃~+125℃
工作电流60mA
待机电流20mA
安装类型表面贴装型
封装/外壳44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
工作温度-40°C ~ 125°C(TA)
技术SRAM - 异步
存储器格式SRAM
供应商器件封装44-TSOP II
存储容量4Mb(256K x 16)
写周期时间-字,页10ns
存储器类型易失
存储器接口并联
访问时间10ns
电压-供电2.4V ~ 3.6V

数据手册PDF

优惠活动

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(1000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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