TAV1-551+
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 380mV | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 低噪声系数,在 0.9 GHz 时典型值为 0.5 dB
- 增益,在 0.9 GHz 时典型值为 20.9 dB
- 高输出三阶交调截点(IP3),在 2 GHz、4V 时为 +24 dBm
- 1dB 压缩点输出功率,+20dBm,4V
- 宽带宽
- 需要外部偏置和匹配
- 符合 RoHS 标准
- 增强型赝配高电子迁移率晶体管
应用领域
- 蜂窝通信
- 工业、科学和医疗(ISM)频段
- 全球移动通信系统(GSM)
- 宽带码分多址(WCDMA)
- 全球微波互联接入(WiMax)
- 无线局域网(WLAN)
- 无许可国家信息基础设施(UNII)
- 高速无线局域网(HIPERLAN)