商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 380mV@4mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
采用TrenchMOS技术、塑料封装的逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（FET）。本产品已根据相应的AEC标准进行设计和鉴定，适用于汽车关键应用。
商品特性
- 符合AEC Q101标准
- 低导通电阻，传导损耗低
- 适用于逻辑电平栅极驱动源
- 额定温度达175°C，适用于对散热要求高的环境
应用领域
- 12 V负载
- 通用功率开关
- 汽车系统
- 电机、灯具和螺线管