IS42VM16400M-6BLI-TR

IS42VM16400M 6BLI TR

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描述: IS42VM16400M 是移动67,108,864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储库，每个存储库包含1,048,567个16位字。该产品支持完全同步操作，所有输入和输出都与系统时钟的正沿同步。数据路径内部流水线化以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。
品牌名称: ISSI(北京矽成)
商品型号: IS42VM16400M-6BLI-TR
商品编号: C2063384
商品封装: TFBGA-54(8x8)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)

	属性	参数值
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步

商品概述

IS42SM/RM/VM16400M是移动67108864位CMOS同步DRAM，组织为4个存储体，每个存储体有1048567个字，每个字16位。这些产品提供完全同步操作，以时钟的正沿为参考。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据路径采用内部流水线设计以实现高带宽。所有输入和输出电压电平与LVCMOS兼容。该64Mb SDRAM（1M x 16位 x 4存储体）是一种多存储体DRAM，工作电压为3.3V、2.5V或1.8V，包括一个同步接口（所有信号在时钟信号CLK的正沿进行寄存）。每个16777216位的存储体组织为4096行 x 256列 x 16位。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按编程顺序连续访问编程数量的位置。访问从激活命令的寄存开始，随后是读或写命令。与激活命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0 - BA1选择存储体，A0 - A11选择行）。与读或写命令同时寄存的地址位（BA0 - BA1选择存储体，A0 - A7选择列）用于选择突发访问的起始列位置。在正常操作之前，SDRAM必须进行初始化。

商品特性

JEDEC标准3.3V、2.5V、1.8V电源
自动刷新和自刷新
所有引脚与LVCMOS接口兼容
4K刷新周期/64ms
可编程突发长度和突发类型：顺序突发为1、2、4、8或整页；交错突发为4或8
可编程CAS延迟：2、3个时钟周期
所有输入和输出以系统时钟的正沿为参考
通过DQM实现数据掩码功能
内部4存储体操作
突发读单写操作
特殊功能支持
部分阵列自刷新（PASR）
温度补偿自刷新（Auto TCSR）
可编程驱动强度控制
全强度或全强度的1/2、1/4
深度掉电模式
自动预充电，包括并发自动预充电模式和受控预充电

数据手册PDF

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