- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT46V16M16TG-5B:MTR
MT46V16M16TG 5B:MTR
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- Alliance Memory
- 商品型号
- MT46V16M16TG-5B:MTR
- 商品编号
- C2062917
- 商品封装
- TSOP-66-10.2mm
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 200MHz | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 2.5V~2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 180mA | |
| 刷新电流 | 4mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = 2.6V ± 0.1V；VDDQ = 2.6V ± 0.1V (DDR400)
- VDD = 2.5V ± 0.2V；VDDQ = 2.5V ± 0.2V
- 双向数据选通信号（DQS）与数据一起传输/接收，即源同步数据捕获（x16每字节有两个）
- 内部流水线式双倍数据速率（DDR）架构；每个时钟周期进行两次数据访问
- 差分时钟输入（CK和CK#）
- 在每个CK正沿输入命令
- 读取时DQS与数据边缘对齐；写入时DQS与数据中心对齐
- DLL用于使DQ和DQS转换与CK对齐
- 四个内部存储体用于并发操作
- 数据掩码（DM）用于屏蔽写入数据（x16每字节有两个）
- 可编程突发长度（BL）：2、4或8
- 自动刷新
- 64ms，8192个周期
- 长引脚TSOP以提高可靠性（OCPL）
- 2.5V I/O（与SSTL_2兼容）
- 支持并发自动预充电选项
- 支持tRAS锁定（tRAP = tRCD）
- AS4C2M32D1A-5BCNTR
- AS4C4M16D1A-5TCNTR
- AS4C16M16D1A-5TCNTR
- AS4C16M16MD1-6BCNTR
- AS4C4M16D1A-5TINTR
- AS4C32M8D1-5TCNTR
- AS4C32M16D1-5BCNTR
- AS4C64M16D2B-25BCNTR
- AS4C64M8D1-5BCNTR
- AS4C32M16MD1A-5BCNTR
- AS4C64M16D3LB-12BCNTR
- AS4C32M16D2A-25BANTR
- AS4C32M16D2A-25BINTR
- AS4C16M16D2-25BCNTR
- AS4C64M16MD1A-5BINTR
- AS4C64M16D3LB-12BANTR
- AS4C16M16D1-5BCNTR
- AS4C128M16D3LB-12BCNTR
- AS4C128M16D3B-12BCNTR
- AS4C128M8D3B-12BINTR
- AS4C16M32MD1-5BCNTR