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M48Z58Y-70MH1F

M48Z58Y 70MH1F

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描述: M48Z58Y 是一款 8 Kbit x 8 非易失性静态 RAM，集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。它在单个芯片上提供了超低功耗的 SRAM 功能。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M48Z58Y-70MH1F
商品编号: C2062195
商品封装: SOP-28-8.9mm
包装方式: 编带
商品毛重: 1.2克(g)

商品参数

商品概述

M48Z58/Y ZEROPOWER RAM是一款8Kbit×8的非易失性静态RAM，在单芯片上集成了掉电选择电路和电池控制逻辑。该单片芯片有两种特殊封装，可提供高度集成的电池备份存储解决方案。M48Z58/Y与任何JEDEC标准8K×8 SRAM的引脚和功能等效，也可轻松适配多种ROM、EPROM和EEPROM插座，提供PROM的非易失性，且无需特殊写入时序或对写入次数进行限制。28引脚600mil DIP CAPHAT封装将M48Z58/Y芯片与长寿命锂纽扣电池集成在单个封装中。28引脚330mil SOIC封装两端设有镀金触点，可直接连接包含电池的独立SNAPHAT外壳。独特设计允许在表面贴装工艺完成后，将SNAPHAT电池封装安装在SOIC封装顶部，防止回流焊高温对电池造成潜在损坏，SNAPHAT外壳带有防反插设计。SOIC封装和电池封装分别采用防静电塑料管或卷带形式运输。

商品特性

集成超低功耗SRAM、掉电控制电路和电池
读周期时间等于写周期时间
自动掉电芯片选择和写保护
写保护电压：M48Z58的Vcc为4.75至5.5V，VPFD为4.5至4.75V；M48Z58Y的Vcc为4.5至5.5V，VPFD为4.2至4.5V
CAPHAT DIP封装内置电池
封装包括28引脚SOIC和SNAPHAT顶部（需单独订购）
SOIC封装可直接连接包含电池的SNAPHAT顶部
引脚和功能兼容JEDEC标准8Kbit×8 SRAM
RoHS合规（无铅二级互连）
自带掉电检测电路，持续监控5V电源是否超出公差；当Vcc超出公差时写保护SRAM，Vcc低于电池切换电压VSO时连接电池维持数据直到有效电源恢复

应用领域

适用于需要非易失性静态存储的嵌入式系统
适配ROM、EPROM、EEPROM插座的电子设备
工业控制设备等需要电池备份存储的场景

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	64Kbit
	工作电压	4.5V~5.5V
	读写时间	70ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	50mA
	待机电流	3mA
	功能特性	内置写抑制功能