MB85RS128TYPNF-G-BCERE1

MB85RS128TY是一款铁电随机存取存储器（FeRAM）芯片，配置为16384字×8位，采用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术来形成非易失性存储单元。该产品专门针对高温环境，如汽车应用。MB85RS128TY采用串行外设接口（SPI）。与静态随机存取存储器（SRAM）不同，MB85RS128TY无需备用电池即可保留数据。MB85RS128TY使用的存储单元可进行10的13次方次读写操作，这比闪存和E²PROM支持的读写操作次数有显著提升。由于MB85RS128TY在写入过程中无需任何等待时间，其写周期时间比闪存或E²PROM短得多。

• 位配置：16384字×8位
• 串行外设接口：SPI（串行外设接口）
• 工作频率：对应SPI模式0（0, 0）和模式3（1, 1），高耐用性，最高33 MHz
• 数据保留：每字节10的13次方次，40.2年（+85°C），10.9年（+105°C），3.38年（+125°C）或更久，在+125°C下评估超过3.38年
• 工作电源电压：1.8 V至3.6 V
• 低功耗：工作电源电流最大2.3 mA（33 MHz时），待机电流最大45 μA，睡眠电流最大12 μA
• 工作环境温度范围：-40°C至+125°C
• 封装：8引脚塑料SOP
• 符合RoHS标准