BR25G256F-3GE2
BR25G256F-3GE2
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- BR25G256F-3GE2
- 商品编号
- C2061851
- 商品封装
- SOIC-8-175mil
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.054克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 20MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 | |
| 功能特性 | - | |
| 工作电压 | 1.6V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
BR25G256 - 3是一款采用SPI总线接口的256Kbit串行EEPROM。
商品特性
- 高达20MHz(最大)的高速时钟操作
- 通过HOLDB端子实现等待功能
- 可通过编程将部分或全部存储阵列设置为只读存储区域
- 1.6V至5.5V单电源操作,非常适合电池供电应用
- 页面写入模式下最多可写入64字节
- 适用于SPI总线接口(CPOL,CPHA) = (0,0),(1,1)
- 自定时编程周期
- 低电流消耗
- 写入操作(5V)时:0.6mA(典型值)
- 读取操作(5V)时:2.0mA(典型值)
- 待机操作(5V)时:0.1µA(典型值)
- 读取操作时具有地址自动递增功能
- 防止写入错误
- 上电时禁止写入
- 通过命令代码(WRDI)禁止写入
- 通过WPB引脚禁止写入
- 通过状态寄存器(BP1,BP0)设置写入禁止块
- 低电压时防止写入错误
- 数据保留时间超过100年
- 写入周期超过100万次
- 位格式为32K×8
- 初始交付数据
- 存储阵列:FFh
- 状态寄存器:WPEN,BP1,BP0 : 0
- BR93A86RFVT-WME2
- BR93H66RFJ-WCE2
- BR25G512FVT-3GE2
- BR25H040FJ-2CE2
- BR93H76RF-WCE2
- BR93G86FV-3AGTE2
- BR25H040F-2CE2
- BR24G128FVT-3AGE2
- BR25A256FJ-3MGE2
- BR24G01FVM-3AGTTR
- BR25H080FJ-2CE2
- BR24T128FVJ-WE2
- BR24G16FVM-3GTTR
- BR25S640FV-WE2
- BR24G08FVJ-3AGTE2
- BR24G256F-3AGTE2
- BR93G76FVM-3GTTR
- BR93G76FVM-3BGTTR
- BR93G76FVM-3AGTTR
- BR24G01FVT-3AGE2
- BR25H320F-2CE2
- BR93A86RFVT-WME2
- BR93H66RFJ-WCE2
- BR25G512FVT-3GE2
- BR25H040FJ-2CE2
- BR93H76RF-WCE2
- 24LC02BHT-I/MNY
- AT28C010E-15JU-T
- AT28HC256-90TU-T
- 25LC320AT-E/MS
- 25AA160AT-I/MS
- AT28HC256-70JU-T
- AT28HC256F-90TU-T
- AT27C020-55JU-T
- MT25QL01GBBB8E12-0SIT TR
- AT45DB081E-SSHNHA-T
- AT28C010E-15TU-T
- M95M01-DFMN6TP
- 25AA160CT-I/MS
- M95080-DRMN3TP/K
- 25AA160DT-I/MNY
- MT25QU01GBBB8E12-0SIT

