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TS512IDT
精密双运算放大器
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- 描述
- 低噪声和低畸变（8nV/sqrtHz & 0.03%）
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- TS512IDT
- 商品编号
- C2060900
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 精密运放 | |
| 放大器数 | 双路 | |
| 增益带宽积(GBP) | 3MHz | |
| 输入偏置电流(Ib) | 50nA | |
| 共模抑制比(CMRR) | 90dB | |
| 压摆率(SR) | 1.5V/us | |
| 输出电流 | 23mA | |
| 轨到轨 | - | |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 静态电流(Iq) | 500uA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 单电源 | 3V~30V | |
| 双电源(Vee ~ Vcc) | -15V~-1.5V；1.5V~15V | |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 30V | |
| 噪声密度(eN) | 10nV/√Hz@1kHz | |
| 输入失调电流(Ios) | 20nA | |
| 输入失调电流温漂(Ios TC) | 80pA/℃ |
商品概述
TS512x 器件是高性能双运算放大器，芯片内置频率和相位补偿。尽管具有高增益带宽积，但内部相位补偿可确保其在电压跟随器配置中稳定运行。 该电路在整个电源电压范围内呈现出非常稳定的电气特性，特别适用于专业和电信应用（如有源滤波）。 与 TS512 和 TS512A（0.8 V/μs）相比，TS512B 保证具有更高的最小压摆率（1.072 V/μs）。
商品特性
- 低输入失调电压：最大 500 μV（A 版本）
- 低功耗
- 短路保护
- 宽电源电压范围：
- 单电源：3 至 30 V
- 双电源：±1.5 至 ±15 V
- 低失真、低噪声
- 高增益带宽积：3 MHz
- 高通道隔离度
- 2 kV ESD 保护
- 本规格书中包含宏模型
应用领域
- 专业应用
- 电信应用（如有源滤波）