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ATTINY841-MUR实物图
  • ATTINY841-MUR商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

ATTINY841-MUR

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描述
高级RISC架构,包含120条强大的指令,其中大多数在一个时钟周期内执行。配备32个通用工作寄存器和全静态操作,该微控制器在16 MHz时可达到高达16 MIPS的吞吐量。它包括4/8K字节的系统内可编程Flash程序存储器,耐写擦10,000次;256/512字节的系统内可编程EEPROM,耐写擦100,000次;以及256/512字节的内部SRAM。数据保持能力为85°C下20年或25°C下100年。微控制器具有自编程Flash & EEPROM数据安全的编程锁、一个8位和两个16位定时器/计数器(每个带有两个PWM通道)、一个可编程超低功耗看门狗定时器、一个10位模数转换器(具有12个外部和5个内部单端输入通道),以及46对差分ADC通道,增益可编程(1x / 20x / 100x)。还包括两个片上模拟比较器、两个带起始帧检测的全双工USART、主/从SPI串行接口、以及从I2C串行接口。特殊功能包括低功耗空闲模式、ADC降噪、待机模式、掉电模式、增强型上电复位电路、带电源电压采样的可编程掉电检测电路、外部和内部中断源、12个引脚上的引脚变化中断、校准的8MHz振荡器(含温度校准选项)、以及校准的32kHz超低功耗振荡器。两个I/O引脚具备高电流驱动能力。该微控制器提供14引脚SOIC、20焊盘MLF/QFN、20焊盘VQFN封装形式,有12个可编程I/O线。功耗优化方面,在活动模式下1.8V和1MHz时为0.2 mA;空闲模式下1.8V和1MHz时为30 μA;掉电模式(启用WDT)1.8V时为1.3 μA;掉电模式(禁用WDT)1.8V时为150 nA。
商品型号
ATTINY841-MUR
商品编号
C2054130
商品封装
QFN-20-EP(4x4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录单片机(MCU/MPU/SOC)
CPU内核AVR
CPU最大主频16MHz
CPU位数8 Bit
程序存储容量8KB
程序存储器类型FLASH
RAM容量512Byte
属性参数值
EEPROM容量512Byte
I/O数量12
ADC(位数)10bit
振荡器类型内置
工作电压1.7V~5.5V
工作温度-40℃~+85℃

商品概述

高级RISC架构,包含120条强大的指令,其中大多数在一个时钟周期内执行。配备32个通用工作寄存器和全静态操作,该微控制器在16 MHz时可达到高达16 MIPS的吞吐量。它包括4/8K字节的系统内可编程Flash程序存储器,耐写擦10,000次;256/512字节的系统内可编程EEPROM,耐写擦100,000次;以及256/512字节的内部SRAM。数据保持能力为85°C下20年或25°C下100年。微控制器具有自编程Flash & EEPROM数据安全的编程锁、一个8位和两个16位定时器/计数器(每个带有两个PWM通道)、一个可编程超低功耗看门狗定时器、一个10位模数转换器(具有12个外部和5个内部单端输入通道),以及46对差分ADC通道,增益可编程(1x / 20x / 100x)。还包括两个片上模拟比较器、两个带起始帧检测的全双工USART、主/从SPI串行接口、以及从I2C串行接口。特殊功能包括低功耗空闲模式、ADC降噪、待机模式、掉电模式、增强型上电复位电路、带电源电压采样的可编程掉电检测电路、外部和内部中断源、12个引脚上的引脚变化中断、校准的8MHz振荡器(含温度校准选项)、以及校准的32kHz超低功耗振荡器。两个I/O引脚具备高电流驱动能力。该微控制器提供14引脚SOIC、20焊盘MLF/QFN、20焊盘VQFN封装形式,有12个可编程I/O线。功耗优化方面,在活动模式下1.8V和1MHz时为0.2 mA;空闲模式下1.8V和1MHz时为30 μA;掉电模式(启用WDT)1.8V时为1.3 μA;掉电模式(禁用WDT)1.8V时为150 nA。

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