2N5306 PBFREE
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 300mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 特征频率(fT) | 60MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.4V@200mA,200uA | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 12V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品概述
CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的2N5306和2N5308是硅NPN外延平面达林顿晶体管，专为高增益放大器应用而设计。
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