商品参数
属性 | 参数值 | |
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商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
Vds-漏源击穿电压 | 650V |
属性 | 参数值 | |
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Id-漏极电流(25℃) | 21A | |
Pd-功耗 | 103W |
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