商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 耗散功率(Pd) | 4.1W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
商品概述
BeRex BCP120C是一款砷化镓(GaAs)功率赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT),其标称栅极尺寸为0.25微米×1200微米,非常适合需要在直流至26.5 GHz频率范围内实现高增益和中等功率的应用。该产品可用于宽带(6 - 18 GHz)或窄带应用。BCP120C采用先进的金属化工艺和氮化硅(Si3N4)钝化技术制造,并经过筛选以确保可靠性。
商品特性
- 典型输出功率30.5 dBm
- 在12 GHz时典型增益为11 dB
- 0.25×1200微米凹槽栅极
应用领域
-商业应用-测试与测量
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