- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
V10DM63CHM3/I
双低压沟槽MOS势垒肖特基整流器
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- V10DM63CHM3/I
- 商品编号
- C20038531
- 商品封装
- TO-263AC
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | 1对共阴极 | |
| 正向压降(Vf) | 600mV@5A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 5A | |
| 反向电流(Ir) | 10uA@60V | |
| 工作结温范围 | -40℃~+175℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 100A |
商品概述
双低压TMBS（沟槽MOS势垒肖特基）整流器。在IF = 2.5 A时，VF超低，为0.44 V。采用eSMP系列SMPD（TO - 263AC）封装。
商品特性
- 沟槽MOS肖特基技术
- 超薄外形，典型高度为1.7 mm
- 适合自动贴装
- 正向压降低，功率损耗小，高效运行
- 符合J - STD - 020标准的MSL 1级，LF最大峰值温度为260°C
- 提供AEC - Q101认证产品：
- 汽车订购代码：基础型号P/N HM3
应用领域
用于高频DC/DC转换器、开关电源、续流二极管、或二极管以及商业、工业和汽车应用中的反向电池保护。