TP44440HB
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ |
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