- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 0.75nC | |
| 输入电容(Ciss) | 28pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ |
商品概述
TP44440HB是一款半桥IC，由两个650 V GaN HEMT功率器件组成。低侧（LS）和高侧（HS）器件的导通电阻均为360 mΩ。这种共封装解决方案可将功率环路中的电感降至最低，即使在高电流、高频操作下也能实现干净的开关。如应用信息中所述，简单的外部接口电路可用于通过专用6 V GaN驱动器以及更传统的12 V驱动器驱动该器件。各个栅极路径中的电阻可用于控制低侧/高侧的开关速度，以实现最佳的EMI性能。该解决方案非常适合所有半桥应用，旨在实现高性能和紧凑的解决方案。
商品特性
- 650 V增强型功率HEMT
- 导通电阻：360 mΩ（低侧）和360 mΩ（高侧）
- 漏极电流：6.5 A（最大值）/ 脉冲漏极电流：7.5 A（最大值）
- 可调节开关速度
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 高开关频率能力
- 可与6 V和≥12 V驱动器接口（参见应用信息）
- 低侧散热垫与源极进行低压隔离，即使使用电流检测电阻也能实现更好的热连接
- 采用30引脚8×10×0.8 mm QFN封装
应用领域
- 交流 - 直流、直流 - 直流、直流 - 交流转换器，PFC和逆变器应用
- 基于ACF和AHB的电源
- 高频LLC谐振转换器
- 移动充电器和笔记本电脑适配器
- 半桥和全桥直流 - 直流转换器
- LED和电机驱动器