- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
| 类型 | - | |
| 技术路线 | E-mode | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 数量 | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ；180mΩ |
商品概述
TP44220HB是一个半桥，由两个650 V GaN HEMT功率器件组成。低侧（LS）和高侧（HS）器件的电阻均为180 mΩ。这种共封装解决方案可最大限度地减少功率环路中的电感，即使在高电流、高频操作下也能实现清晰的开关。如应用信息中所述，简单的外部接口电路可用于通过专用6 V GaN驱动器以及更传统的12 V驱动器驱动该部件。各个栅极路径中的电阻可用于控制低侧/高侧的开关速度，以实现最佳的EMI性能。该解决方案非常适合所有半桥应用，旨在实现高性能和紧凑的解决方案。
商品特性
- 650 V增强型功率HEMT，RDSON：180 mΩ（低侧）+ 180 mΩ（高侧）
- 可调节导通/关断速度
- 反向导通能力
- 零反向恢复损耗
- 高（> 10 MHz）开关频率能力
- 可与6 V和≥12 V驱动器接口（见应用信息）
- 低侧散热垫与源极进行低压隔离，即使使用电流检测电阻也能实现更好的热连接
应用领域
- 交流 - 直流、直流 - 直流、直流 - 交流转换器
- 图腾柱和双向PFC
- 半桥和全桥LLC转换器
- 高频电子变压器
- LED和电机驱动器
- 服务器电源
- 逆变器