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M95P08-EXMNT/E

8-Mbit串行SPI页EEPROM

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描述: M95P08-E是一款8-Mbit（1048576 x 8位）串行SPI页EEPROM，支持双输出和四输出模式，具有高速读取和低功耗特性。
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M95P08-EXMNT/E
商品编号: C20033266
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.15克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置错误纠正码(ECC)功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.6V~3.6V
	工作温度	-40℃~+105℃
	工作电流	1.5mA
	待机电流	16uA
	读取访问时间(tA)	-

商品概述

M95P08-I和M95P08-E采用先进的专有NVM技术制造，具有字节灵活性、页面可更改性、高页面循环性能和超低功耗，与EEPROM技术相当。它们是8-Mbit SPI页面EEPROM器件，组织为2048个可编程页面，每个页面512字节，通过具有高性能双和四SPI输出的SPI总线访问。器件提供两个额外的512字节识别页面：第一个包含识别数据和可请求的UID；第二个可用于存储敏感应用参数，之后可永久锁定为只读模式。额外的状态、配置和易失性寄存器设置所需的器件配置，而安全寄存器提供器件状态信息。M95P08-I的供电电压范围为1.6至3.6V，环境温度范围为-40℃至+85℃；M95P08-E的温度范围扩展至-40℃至+105℃，支持高达80MHz的时钟频率。器件提供字节和页面写入指令（最多512字节），写入指令包括自定时自动擦除和编程操作，实现灵活的数据字节管理。器件还接受页面/块/扇区/芯片擦除命令，将内存设置为擦除状态，之后可通过512字节页面快速编程，并使用带缓冲加载的页面编程指令优化以隐藏SPI通信延迟。

商品特性

接口：支持串行外设接口（SPI）和双/四输出
高速频率：时钟频率高达80MHz；单/双/四输出快速读取（带一个虚拟字节）；双输出数据传输高达160Mbits/s；四输出数据传输高达320Mbits/s
内存：8-Mbit页面EEPROM；64-Kbyte块，4-Kbyte扇区；页面大小512字节；两个额外的512字节识别页面
供电电压：宽电压范围：Vcc从1.6至3.6V
温度：工作温度范围：工业级-40℃至+85℃；扩展级-40℃至+105℃
性能：全温度范围写入循环次数为500k次；数据保留：100年；500k次循环后10年
超低功耗：深度掉电模式典型值0.6μA；待机模式典型值16μA；10MHz下单读取典型值800μA；页面写入典型值1.5mA；电流峰值控制<3mA
高写入/擦除性能：字节和页面写入（含自动擦除和编程）典型值2ms（512字节）；页面编程（512字节）典型值1.2ms；页面擦除典型值1.1ms；扇区擦除典型值1.3ms；块擦除典型值4ms；芯片擦除典型值4ms；带缓冲加载的页面编程
高级特性：用于高内存可靠性的ECC（DEC，TED）；用于噪声过滤的施密特触发器输入；输出缓冲器可编程强度；ISO26262操作状态标志；软件复位；带上下选项的块写入保护；可请求的ID；电子识别；支持SFDP（串行闪存可发现参数）模式；JEDEC标准制造商识别
封装：符合RoHS的ECOPACK2和无卤素封装：DFN8 2×3mm；SO8N；WLCSP8
ESD保护：增强型ESD HBM（人体模型）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	8Mbit
	时钟频率(fc)	80MHz
	写周期时间(Tw)	2ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	50万次