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A2T18H455W23NR6实物图
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A2T18H455W23NR6

A2T18H455W23NR6

品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
A2T18H455W23NR6
商品编号
C20010665
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)65V
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
工作温度-40℃~+125℃
类型N沟道

商品概述

这款87 W非对称Doherty射频功率LDMOS晶体管专为需要极宽瞬时带宽能力、覆盖1805至1880 MHz频率范围的蜂窝基站应用而设计。

商品特性

-先进高性能内置式Doherty技术-采用高导热封装技术,降低热阻-专为宽瞬时带宽应用设计-更宽的负栅源电压范围,改善C类工作性能-能够承受极高的输出电压驻波比和宽带工作条件-专为数字预失真误差校正系统设计

应用领域

-蜂窝基站

数据手册PDF