商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于 20 年超结技术经验的终极 MDmesh K6 技术设计而成。其成果是在需要卓越功率密度和高效率的应用中，实现了同类最佳的单位面积导通电阻和栅极电荷。
商品特性
-先进高性能内置式Doherty技术-采用高导热封装技术,降低热阻-专为宽瞬时带宽应用设计-更宽的负栅源电压范围,改善C类工作性能-能够承受极高的输出电压驻波比和宽带工作条件-专为数字预失真误差校正系统设计
应用领域
-蜂窝基站
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