- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UMD2N-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 56 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@5mA,0.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 22kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 封装内集成 DTA124E 芯片和 DTC124E 芯片
- 可使用 SOT-363 自动贴装机进行贴装
- 晶体管元件相互独立，消除干扰
- 无卤素，“绿色”器件
- 湿度敏感度等级 1
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准（后缀“P”表示符合 RoHS 标准，详见订购信息）