EMD9-TP
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 68 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.4V@1mA,0.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 300mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 电阻比率 | 4.7 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 封装内集成DTA114Y芯片和DTC114Y芯片
- 可使用SOT - 563自动贴片机进行贴装
- 晶体管元件相互独立,消除干扰
- 无卤素,“绿色”器件
- 湿度敏感度等级1级
- 环氧树脂符合UL 94 V - 0阻燃等级
- 无铅表面处理/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准,详见订购信息)


