商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@5V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
商品概述
EPC Space FSMD - A系列增强型氮化镓(eGaN)功率开关高电子迁移率晶体管(HEMT)专为高可靠性或商业卫星太空环境中的关键应用而设计。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数,从而使导通电阻(RDS(on))极低。芯片的横向结构可实现极低的栅极电荷(QG)和极快的开关时间。这些特性能够提高电源开关频率,进而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的封装。
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)
- 超低栅极电荷QG,实现高效率
- 逻辑电平
- 重量轻 - 0.135克
- 新型紧凑密封封装
- 抗辐射能力达1000 krad
- 在漏源电压(VDS)高达额定击穿电压的100%时,对线性能量转移(LET)为85 MeV/mg/cm2的单粒子效应免疫
- 低剂量率为100 mRad/秒
- 保持辐照前的规格
- 在中子通量高达1×1015 中子/cm2时,保持辐照前的规格
应用领域
-卫星和电子设备-深空探测器-高速抗辐射DC-DC转换-抗辐射电机控制器
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