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EPC7007BC实物图
  • EPC7007BC商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

EPC7007BC

EPC7007BC

品牌名称
EPC
商品型号
EPC7007BC
商品编号
C19952124
商品封装
SMD-4P​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)18A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@5V
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)7nC@5V
输入电容(Ciss)900pF
反向传输电容(Crss)10pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)360pF

商品概述

EPC Space FSMD - A系列增强型氮化镓(eGaN)功率开关高电子迁移率晶体管(HEMT)专为高可靠性或商业卫星太空环境中的关键应用而设计。这些器件具有极高的电子迁移率和低温度系数,从而使导通电阻(RDS(on))极低。芯片的横向结构可实现极低的栅极电荷(QG)和极快的开关时间。这些特性能够提高电源开关频率,进而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的封装。

商品特性

  • 低导通电阻RDS(on)
  • 超低栅极电荷QG,实现高效率
  • 逻辑电平
  • 重量轻 - 0.135克
  • 新型紧凑密封封装
  • 抗辐射能力达1000 krad
  • 在漏源电压(VDS)高达额定击穿电压的100%时,对线性能量转移(LET)为85 MeV/mg/cm2的单粒子效应免疫
  • 低剂量率为100 mRad/秒
  • 保持辐照前的规格
  • 在中子通量高达1×1015 中子/cm2时,保持辐照前的规格

应用领域

-卫星和电子设备-深空探测器-高速抗辐射DC-DC转换-抗辐射电机控制器

数据手册PDF