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ALD910029SALI

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD910029SALI
商品编号: C19944647
商品封装: SOIC-8
包装方式: 管装
商品毛重: 0.23克(g)

商品参数

商品概述

ALD810029/ALD910029是ALD8100xx（四通道）和ALD9100xx（双通道）超级电容器自动平衡MOSFET（即SAB™ MOSFET）系列的新增产品。SAB MOSFET采用经过生产验证的EPAD®技术制造，旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器，也称为 ultracapacitors 或 supercaps，通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合，可以实现串联连接时的漏电流平衡，防止过电压。 ALD810029为四个SAB MOSFET器件中的每一个提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性。它可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910029为其两个SAB MOSFET器件中的每一个都有自己独特的精确工作电气特性，适用于多达两个串联连接的超级电容器。每个SAB MOSFET在Vt模式下具有精确的栅极阈值电压，当栅 - 漏源极端子（VGS = VDS）在漏源电流IDS(ON) = 1μA时连接在一起，该电压为2.90V。在这种模式下，输入电压VIN = VGS = VDS。不同的VIN会产生输出电流IOUT = IDS(ON)特性，并形成一个有效可变电阻，其阻值随VIN呈指数变化。当这个VIN施加在串联的每个超级电容器两端时，可将每个超级电容器的电压和电流平衡在其限制范围内。当向ALD810029/ALD910029施加VIN = 2.90V时，其IOUT为1μA。当VIN增加100mV至3.00V时，IOUT大约增加10倍。对于ALD910029，当VIN进一步增加到3.12V（ALD810029为3.14V）时，IOUT增加100倍，达到100μA。相反，当VIN降低100mV至2.80V时，IOUT降至其先前值的十分之一，即0.1μA。输入电压再降低100mV，IOUT将降至0.01μA。因此，当将ALD810029/ALD910029 SAB MOSFET连接到充电至低于2.70V的超级电容器两端时，它基本上不消耗功率。 ALD810029/ALD910029导通电阻的电压相关特性在控制连接的超级电容器两端的过电压上升方面非常有效。在串联的超级电容器组中，当一个超级电容器的电压上升时，其他超级电容器的电压下降，漏电流最大的超级电容器电压最低。连接在这些超级电容器两端的SAB MOSFET会呈现互补的反向电流水平，除了超级电容器本身产生的漏电流外，几乎不会产生额外的漏电流。

商品特性

使用简单且经济
工厂精密微调
自动调节和平衡漏电流
有效实现超级电容器充电平衡
单个IC封装可平衡多达4个超级电容器
可平衡2节、3节、4节串联的超级电容器
可扩展至更大的超级电容器组和阵列
几乎零额外漏电流
在额定电压以下0.3V时零漏电流
可平衡串联和/或并联连接的超级电容器
漏电流是电池电压的指数函数
有源电流范围从< 0.3nA到>1000\mu A
始终处于激活状态,响应时间快
最小化漏电流和功耗

应用领域

-串联超级电容器单元的漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功率分压器-匹配电流镜和电流源-零功率模式下的最大电压限制器-可扩展的超级电容器组和阵列

数据手册PDF

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ALD910030SALI

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	10.6V
	耗散功率(Pd)	500mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	2.9V
	输入电容(Ciss)	30pF
	工作温度	-40℃~+85℃