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CJU02N60M1
N沟道 耐压:600V 电流:2A
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- 描述
- 高压MOSFET采用先进的终端方案，可在不随时间推移而降低性能的情况下增强耐压能力。此外，这款先进的MOSFET经设计可承受雪崩和换向模式下的高能量。全新的节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏源二极管
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU02N60M1
- 商品编号
- C19943719
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 322pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 38pF |
优惠活动
购买数量
(5000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个5000个/圆盘
总价金额：
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