温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NCP5109ADR2G
高压，高端和低端驱动器
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- NCP5109 是一款高电压门极驱动器集成电路，提供两种输出，用于半桥配置版本 B 或任何其他高压侧 + 低压侧配置版本 A 的 2 个 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT 的直接驱动。它使用自举技术来确保高压侧电源开关的正确驱动。该驱动器使用 2 的独立的输入。NCP5109 = 200V，NCP5106 = 600V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NCP5109ADR2G
- 商品编号
- C190726
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | IGBT；MOSFET | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 500mA | |
| 拉电流(IOH) | 250mA | |
| 工作电压 | 10V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 85ns | |
| 下降时间(tf) | 75ns | |
| 传播延迟 tpLH | 100ns | |
| 传播延迟 tpHL | 100ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ |
商品概述
NCP5109是一款高压栅极驱动IC，提供两个输出，可直接驱动以半桥配置（版本B）排列的2个N沟道功率MOSFET或IGBT，或任何其他高端+低端配置（版本A）。它采用自举技术，以确保高端功率开关的正常驱动。该驱动器采用2个独立输入工作。
商品特性
- 高电压范围：高达200 V
- dV/dt抗扰度：±50 V/nsec
- 负电流注入特性在整个温度范围内得到表征
- 栅极驱动电源范围：10 V至20 V
- 高、低驱动输出
- 输出源/灌电流能力：250 mA / 500 mA
- 3.3 V和5 V输入逻辑兼容
- 输入引脚最高可承受VCC摆幅
- 为信号传播，桥引脚允许的负电压摆幅扩展至 -10 V
- 两个通道之间的传播延迟匹配
- 输出与输入同相
- 独立逻辑输入，适用于所有拓扑结构（版本A）
- 具有100 ns内部固定死区时间的交叉导通保护（版本B）
- 两个通道均具备欠VCC锁定（UVLO）功能
- 引脚与行业标准兼容
- 这些是无铅器件
应用领域
- 半桥功率转换器
- 任何互补驱动转换器（不对称半桥、有源钳位）（仅A版本）
- 全桥转换器
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
相似推荐
其他推荐