商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@200uA | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 漏源导通电阻RDS(ON)，栅源电压VGS为10 V，漏极电流ID为20 A时小于3 mΩ
- 漏源导通电阻RDS(ON)，栅源电压VGS为7 V，漏极电流ID为20 A时小于3.6 mΩ
- 出色的品质因数（FOM）
- 标准电平驱动
- 通过AEC-Q101认证
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 符合IEC 61249标准的环保模塑化合物
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