SSF6670
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
SSF6092G1采用最新的沟槽处理技术，实现了高单元密度、低导通电阻和高重复雪崩额定值。这些特性使该器件在功率开关应用和各种其他应用中极为高效可靠。
商品特性
- 先进的MOSFET工艺技术
- 超低导通电阻和低栅极电荷
- 快速开关和反向体恢复
- 工作温度达150°C
应用领域
- 脉冲宽度调制（PWM）
- 负载开关
- 通用应用
- 功率开关应用