商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 52W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
GSFN0207采用最新技术实现高单元密度和低导通电阻。这些特性使该器件在高效开关模式电源及各种其他应用中极为高效可靠。
商品特性
- 先进的MOSFET工艺技术
- 非常适合高效开关模式电源
- 低导通电阻与低栅极电荷
- 快速开关和反向体恢复