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MGSF1N03LT1G
耐压:30V 电流:3A
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- 描述
- 特性：VDS = 30V，ID = 3A。 RDS(ON) < 85mΩ @ VGS = 10V。 RDS(ON) < 100mΩ @ VGS = 4.5V。应用：负载开关。 PWM应用
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- MGSF1N03LT1G
- 商品编号
- C19829415
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031433克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 235pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
50N03是具有极高单元密度的N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V,漏极电流(ID) = 3A
- 当栅源电压(VGS) = 10V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 85 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 100 mΩ
应用领域
- 负载开关
- 脉宽调制(PWM)应用