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S-85M1AB13-H6T6S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

S-85M1AB13-H6T6S

S-85M1AB13-H6T6S

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商品型号
S-85M1AB13-H6T6S
商品编号
C19761217
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录DC-DC电源芯片
功能类型降压型
工作电压2.2V~5.6V
输出电压-
输出电流-
开关频率1MHz
工作温度-40℃~+85℃
属性参数值
同步整流
输出通道数1
拓扑结构降压式
静态电流(Iq)-
开关管(内置/外置)-
输出类型-

商品概述

S-85M1A系列采用了独特的低功耗控制和COT(恒定导通时间)控制技术,具备超低电流消耗和快速瞬态响应的特点。PWM / PFM开关控制在轻载时会自动切换到PFM控制模式,此时IC的静态电流低至260 nA,实现超低电流消耗。S-85M1A系列在宽范围的负载电流消耗下均能实现高效率,为配备小型电池的移动设备和可穿戴设备的长时间运行提供有力支持。 此外,该系列采用了适用于高密度安装的WLP-6L封装,有助于电子设备的小型化。按照本数据手册推荐使用外部元件,占用面积可缩小至2.0 mm × 3.3 mm = 6.6 mm²。 由于S-85M1A系列将EMI辐射抑制到最低限度,同时保证了高效率,因此适用于无线通信、GPS等对噪声敏感的设备。

商品特性

  • 超低电流消耗:静态电流260 nA
  • 效率(100 μA负载时):90.5%
  • 快速瞬态响应:COT控制
  • 输入电压:2.2 V至5.6 V
  • 输出电压:0.7 V至2.5 V,步进0.05 V;2.6 V至3.9 V,步进0.1 V
  • 输出电压精度:±1.5%(1.0 V ≤ VOUT);±15 mV(0.7 V ≤ VOUT < 1.0 V)
  • 开关频率:1.0 MHz(PWM工作模式)
  • 高端功率MOS FET导通电阻:360 mΩ
  • 低端功率MOS FET导通电阻:250 mΩ
  • 软启动功能:典型值1 ms
  • 欠压锁定功能(UVLO):典型检测电压1.8 V
  • 热关断功能:典型检测温度135 ℃
  • 过流保护功能:450 mA(L = 2.2 μH时)
  • 自动恢复型短路保护功能:打嗝控制
  • 放电分流功能:不可用(S-85M1A系列B型);可用(S-85M1A系列C型)
  • 输入和输出电容:兼容陶瓷电容
  • 工作温度范围:Ta = -40 ℃至+85 ℃
  • 无铅、无卤

应用领域

  • 可穿戴设备
  • 蓝牙设备
  • 无线传感器网络设备
  • 医疗保健设备
  • 智能电表
  • 便携式游戏设备
  • GPS设备

数据手册PDF

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(6000个/圆盘,最小起订量 1 个)
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