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MT29F8G08ABACAWP-AIT:C引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

MT29F8G08ABACAWP-AIT:C

8Gb、16Gb x8、x16 NAND闪存

SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT29F8G08ABACAWP-AIT:C
商品编号
C19752081
商品封装
TSOPI-48​
包装方式
托盘
商品毛重
2.307克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量8Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)-
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)-
页写入时间(Tpp)20ns
属性参数值
块擦除时间(tBE)2ms
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+85℃
待机电流100uA
擦写寿命6万次
功能特性硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；软件复位功能；复制回写功能
ECC有

商品特性

  • 符合开放NAND闪存接口1.0规范
  • 单层单元技术
  • 组织结构
  • 页大小（x8）：4320字节（4096 + 224字节）
  • 页大小（x16）：2160字（2048 + 112字）
  • 块大小：64页（256K + 14K字节）
  • 平面大小：2个平面 × 每个平面2048个块
  • 器件大小：8Gb：4096个块
  • 器件大小：16Gb：8192个块
  • 异步输入/输出性能
  • tRC/tWC：20纳秒（3.3V），30纳秒（1.8V）
  • 阵列性能
  • 读取页：25微秒
  • 编程页：200微秒（典型值）
  • 擦除块：2毫秒（典型值）
  • 命令集：ONFI NAND闪存协议
  • 高级命令集
  • 编程页缓存模式
  • 读取页缓存模式
  • 一次性可编程模式
  • 块锁定（仅1.8V）
  • 可编程驱动强度
  • 双平面命令
  • 多裸片操作
  • 读取标识
  • 内部数据移动
  • 操作状态字节提供用于检测的软件方法
  • 操作完成
  • 通过/失败状态
  • 写保护状态
  • 就绪/忙信号提供检测操作完成的硬件方法
  • 写保护信号：写保护整个器件
  • 出厂时第一个块（块地址00h）带有纠错码，为有效状态。关于最低要求的纠错码，请参见错误管理。
  • 上电后需要将复位命令作为第一条命令
  • 上电后器件初始化的替代方法
  • 支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
  • 质量与可靠性
  • 数据保持：符合JESD47G标准；参见认证报告
  • 耐久性：60，000次编程/擦除循环
  • 工作电压范围
  • VCC：2.7 - 3.6 V
  • VCC：1.7 - 1.95 V
  • 工作温度
  • 商业级：0℃ 至 +70℃
  • 工业级：-40℃ 至 +85℃
  • 封装
  • 48引脚TSOP类型1，CPL
  • 63球VFBGA

数据手册PDF

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