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MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR

Name: micron(镁光) MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR
Brand: micron(镁光)
SKU: C19749684
Price: 30.12 CNY
Availability: OutOfStock

4Gb、8Gb、16Gb:x8、x16 NAND闪存

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT29F4G08ABADAH4-ITE:D TR
商品编号: C19749684
商品封装: VFBGA-63(9x11)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	4Gbit
	接口类型	Parallel

	属性	参数值
	工作电压	2.7V~3.6V
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	硬件复位功能；硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能

商品特性

符合开放NAND闪存接口（ONFI）1.0标准
单级单元（SLC）技术
组织架构：
- x8页大小：2112字节（2048 + 64字节）
- x16页大小：1056字（1024 + 32字）
- 块大小：64页（128K + 4K字节）
- 平面大小：2个平面，每个平面2048个块
- 设备容量：4Gb为4096个块；8Gb为8192个块；16Gb为16384个块
异步I/O性能：
- tRC / tWC：20ns（3.3V），25ns（1.8V）
阵列性能：
- 读取页面：25μs
- 编程页面：200μs（典型值：1.8V、3.3V）
- 擦除块：700μs（典型值）
命令集：ONFI NAND闪存协议
高级命令集：
- 编程页面缓存模式4
- 读取页面缓存模式4
- 一次性可编程（OTP）模式
- 双平面命令
- 交错管芯（LUN）操作
- 读取唯一ID
- 块锁定（仅1.8V）
- 内部数据移动
操作状态字节提供检测操作完成、通过/失败条件和写保护状态的软件方法
就绪/忙（R/B#）信号提供检测操作完成的硬件方法
WP#信号：对整个设备进行写保护
从工厂发货时，第一个块（块地址00h）带有ECC是有效的。有关最低要求的ECC，请参阅错误管理。
如果编程/擦除周期少于1000次，块0需要1位ECC
上电后第一个命令需要复位（FFh）
上电后设备初始化的替代方法（Nand_Init）（联系工厂）
支持在读取数据的平面内进行内部数据移动操作
质量和可靠性：
- 数据保留：10年
- 耐久性：100,000次编程/擦除周期
工作电压范围：
- VCC：2.7 - 3.6V
- VCC：1.7 - 1.95V
工作温度：
- 商业级：0°C ~ +70°C
- 工业级（IT）：-40°C ~ +85°C
- 汽车工业级（AIT）：-40°C ~ +85°C
- 汽车级（AAT）：-40°C ~ +105°C
封装：
- 48引脚TSOP类型1，CPL²
- 63球VFBGA

数据手册PDF

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