MT29F4G08ABBEAH4:E TR

2,4,8Gb:x8/x16 复用 NAND 闪存存储器

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT29F4G08ABBEAH4:E TR
商品编号: C19743462
商品封装: VFBGA-63(9x11)
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	-
	工作温度	0℃~+70℃
	待机电流	-
	擦写寿命	-
	功能特性	硬件写保护功能；读缓存功能；电源锁定保护功能；软件复位功能；复制回写功能

商品概述

该器件是一款2Gb、4Gb或8Gb的NAND闪存，采用3V电源供电，支持异步接口。它提供硬件和软件写保护功能，并包含自动预取功能，可在上电时将第一页数据加载到内部数据寄存器中。该器件采用行业标准的NAND接口引脚，并支持基于命令的用户接口。其架构采用每页2,112字节（2,048字节加64字节备用字节）的组织形式，每64页组成一个块（128K字节加4K字节）。对于2Gb器件，总共有2,048个块；对于4Gb器件，总共有4,096个块；对于8Gb器件，总共有8,192个块。备用区域通常用于存储ECC代码、坏块信息和/或其他特定于应用的元数据。该器件采用48引脚TSOP类型1封装。

商品特性

组织结构：页面大小：x8：2,112字节（2,048 + 64字节）；x16：1,056字（1,024 + 32字）。块大小：64页（128K + 4K字节）。器件容量：2Gb：2,048块；4Gb：4,096块；8Gb：8,192块。
读取性能：随机读取：25μs；顺序读取：30ns（仅限3V x8）。
写入性能：页面编程：300μs（典型值）；块擦除：2ms（典型值）。
耐久性：100,000次编程/擦除循环。
数据保持时间：10年。
第一块（块地址00h）保证在无ECC情况下有效（最多1,000次编程/擦除循环）。
电源电压：2.7V~3.6V。
自动编程和擦除。
基本NAND命令集：页面读取、随机数据读取、读取ID、读取状态、编程页面、随机数据输入、编程页面缓存模式、内部数据移动、带随机数据输入的内部数据移动、块擦除、复位。
新命令：页面读取缓存模式、读取ID（联系工厂）、读取ID2（联系工厂）。
操作状态字节提供检测编程/擦除操作完成、编程/擦除通过/失败条件以及写保护状态的软件方法。
就绪/忙引脚提供检测编程或擦除周期完成的硬件方法。
预取引脚：上电时预取。
写保护引脚：硬件写保护。

应用领域

固态硬盘
存储卡
USB闪存驱动器
嵌入式系统
消费电子设备

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NAND FLASH
	存储容量	4Gbit
	接口类型	Parallel
	时钟频率(fc)	-
	工作电压	1.7V~1.95V
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-