MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C
16Gb异步/同步NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C
- 商品编号
- C19737116
- 商品封装
- VBGA-100(12x18)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | 20ns | |
| 页写入时间(Tpp) | 20ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 1.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 8万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能;读缓存功能;软件复位功能;复制回写功能 | |
| ECC | 有 |
商品特性
- 符合开放NAND闪存接口(ONFI) 2.2标准
- 单级单元(SLC)技术
- 组织:页大小x8为4320字节(4096 + 224字节);块大小为128页(512K + 28K字节);平面大小为2个平面,每个平面2048块;设备大小:16Gb为4096块;32Gb为8192块;64Gb为16384块
- 同步I/O性能:最高同步时序模式4;时钟速率:12纳秒(DDR);每引脚读写吞吐量:166 MT/s
- 异步I/O性能:最高异步时序模式5;tRC/tWC:20纳秒(最小)
- 阵列性能:读页时间:35微秒(最大);编程页时间:350微秒(典型);擦除块时间:1.5毫秒(典型)
- 工作电压范围:VCC:2.7-3.6伏;VCCO:1.7-1.95伏,2.7-3.6伏
- 命令集:ONFI NAND闪存协议
- 高级命令集:程序缓存、顺序读缓存、随机读缓存、一次性可编程(OTP)模式、多平面命令、读ID、复制回
- 第一块(块地址00h)出厂时有效;上电后需要复位(FFh)作为第一个命令;支持从读取数据的平面内内部数据移动操作
- 质量和可靠性:耐久性:80,000次编程/擦除周期;数据保留:符合JESD47G标准;未循环数据保留:10年,24/7 @ 85°C;符合AEC-Q100标准
- MT29F1G16ABBEAH4:E
- MTFC64GAPAKEA-WT ES TR
- MTFC8GAMALBH-AAT ES TR
- MT29F4G16ABADAH4:D TR
- MT29F2G08ABDWP:D TR
- MTFC8GAMALNA-AAT ES TR
- MT29F4G16ABBDAH4-AIT:D TR
- MT29F512G08CUCABJ3-10RZ:A
- MT29F256G08EFEBBWP:B TR
- MT29F128G08AUABAC5-IT:B
- MTFC16GJUEF-AIT TR
- MT29F4G16ABBEAH4:E TR
- MT29F256G08CKCABH2-12Z:A TR
- MT29F512G08CUCABH3-10R:A TR
- MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR
- MT29F256G08CECABH6-6:A TR
- MTFC128GAPALNS-AIT ES TR
- MT29F4G08ABCWC:C TR
- MTFC8GLDDQ-4M IT
- MT29F4G16ABBDAHC-IT:D
- MT29F8G08ADADAH4:D
- MT29F1G16ABBEAH4:E
- MTFC64GAPAKEA-WT ES TR
- MTFC8GAMALBH-AAT ES TR
- 1812YA250182MSRSYS
- T491D106K020ZT
- SL05-5R003
- T491A334M035ZTZ001
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- LTST-T680KRKT
- LHMTS0-G-IV
- OXU3101-AANC G

