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MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C

16Gb异步/同步NAND闪存

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品牌名称
micron(镁光)
商品型号
MT29F16G08ABCCBH1-AAT:C
商品编号
C19737116
商品封装
VBGA-100(12x18)​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量16Gbit
接口类型-
时钟频率(fc)-
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)20ns
页写入时间(Tpp)20ns
属性参数值
块擦除时间(tBE)1.5ms
数据保留 - TDR(年)-
工作温度-40℃~+105℃
待机电流-
擦写寿命8万次
功能特性硬件写保护功能;读缓存功能;软件复位功能;复制回写功能
ECC

商品特性

  • 符合开放NAND闪存接口(ONFI) 2.2标准
  • 单级单元(SLC)技术
  • 组织:页大小x8为4320字节(4096 + 224字节);块大小为128页(512K + 28K字节);平面大小为2个平面,每个平面2048块;设备大小:16Gb为4096块;32Gb为8192块;64Gb为16384块
  • 同步I/O性能:最高同步时序模式4;时钟速率:12纳秒(DDR);每引脚读写吞吐量:166 MT/s
  • 异步I/O性能:最高异步时序模式5;tRC/tWC:20纳秒(最小)
  • 阵列性能:读页时间:35微秒(最大);编程页时间:350微秒(典型);擦除块时间:1.5毫秒(典型)
  • 工作电压范围:VCC:2.7-3.6伏;VCCO:1.7-1.95伏,2.7-3.6伏
  • 命令集:ONFI NAND闪存协议
  • 高级命令集:程序缓存、顺序读缓存、随机读缓存、一次性可编程(OTP)模式、多平面命令、读ID、复制回
  • 第一块(块地址00h)出厂时有效;上电后需要复位(FFh)作为第一个命令;支持从读取数据的平面内内部数据移动操作
  • 质量和可靠性:耐久性:80,000次编程/擦除周期;数据保留:符合JESD47G标准;未循环数据保留:10年,24/7 @ 85°C;符合AEC-Q100标准

数据手册PDF