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JT0505M0D-C1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

JT0505M0D-C1

28-V, +5/-7A, 单/双通道, GaN/MOSFET/SiC/IGBT栅极驱动器

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描述
驱动适用于充电桩、OBC、DC-DC、光伏逆变、储能、通信、服务器电源等
品牌名称
JTM(晶通)
商品型号
JT0505M0D-C1
商品编号
C19724605
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.106克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数2
灌电流(IOL)7A
拉电流(IOH)5A
工作电压4.8V~25V
上升时间(tr)2.5ns
下降时间(tf)3.5ns
属性参数值
传播延迟 tpLH15ns
传播延迟 tpHL18ns
特性欠压保护(UVP)
工作温度-40℃~+125℃
输入高电平(VIH)1.7V
输入低电平(VIL)1.8V
静态电流(Iq)1.09mA

商品概述

JT0505系列栅极驱动器是单通道、双通道高频栅极驱动IC,专门用于驱动GaN、MOSFET和IGBT。 JT0505栅极驱动器提供5A源电流、7A灌电流峰值能力,且传播延迟小。 它提供不同的封装和欠压锁定(UVLO)电压选项,以驱动GaN、MOSFET和IGBT。

商品特性

  • 单/双通道栅极驱动IC,专门用于驱动MOSFET、IGBT和SiC,兼容驱动E型GaN
  • VDD最高额定值达28V
  • VDD宽范围为4.8V至25V
  • 7A灌电流、5A源电流输出,可实现快速开关和高效率
  • 内部上拉和下拉电阻为0.8Ω
  • 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
  • 输入兼容TTL/CMOS
  • 输入能承受最大VDD
  • 快速传播延迟时间(典型值15ns)
  • 欠压锁定(UVLO)
  • 独立的灌电流和源电流输出,便于栅极驱动(JT0505M0S-T1和JT0505G0S-T1)
  • 输出与输入同相
  • 小尺寸封装(SOT23、SOP8)

应用领域

  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正(PFC)系统
  • DC/DC电源转换器
  • 功率转换系统(PCS)
  • 储能系统
  • 太阳能微型逆变器
  • 太阳能优化器

数据手册PDF